Steinbeis-Transferzentrum Halbleiterbauelemente

Charakterisierung elektronischer Bauelemente

Charakterisierung des Gleichspannungsverhaltens

I-U- und C-U-Messungen im Hochtemperaturbereich bis 600 °C

Charakterisierung des Kleinsignal-Hochfrequenzverhaltens auf dem Wafer von 0,045-50 GHz, mit Variation der Substrattemperatur

Charakterisierung des Hochfrequenz-Rauschverhaltens auf dem Wafer von 1-26 GHz, mit Variation der Substrattemperatur

Charakterisierung des Niederfrequenzrauschens auf dem Wafer von 1Hz-1MHz (geschirmter Messraum)

Charakterisierung von nichtlinearen Bauelementen auf dem Wafer im Zeitbereich, bis 50 GHs Bandbreite

Entwurfsunterstützung

Bauelementphysikalisch orientierte Interpretation der Daten, Groß- und Kleinsignal-Parameterextraktion, Bauelementsimulation

Komponentenauswahl für Systeme der Mobilkommunikation, Mikrowellensensorik und Optoelektronik

Entwurf integrierter Mikrowellenschaltungen (MMICs) auf Silizium und III-V-Halbleitern

Konzeption von Messplätzen der Mikrowellentechnik und Optoelektronik, auf spezifische Aufgaben zugeschnitten

Halbleiter-MaterialmesstechnikPhotolumineszenz

Magnetfeldabhängige Hallmessungen

MikrostrukturprozesstechnikMikro- und Nanolithographie durch Elektronenstrahl- und Deep-UV-Belichtung in Mehrlagen-Resistsystemen, Herstellung elektronenstrahlgeschriebener Masken

Dünnschichtdeposition durch Elektronenstrahlverdampfung, Sputtern, Ionenstrahlzerstäubung und Galvanik

Strukurierung durch Abhebetechnik, Nass- und Trockenätztechnik

Herstellung optischer Masken mit 0,5 *m Auflösung

Anwendungsberatung und Entwurfsunterstützung zu neuartigen Halbleiterbauelementen in Kommunikations- und Sensortechnik

Charakterisierung elektronischer Bauelemente bis 50 GHz und anwendungsspezifische Messplatzkonzeption

Mikrostrukturprozesstechnik - Forschung, Entwicklung, Anwendung

Halbleiter-Materialmesstechnik

Praktische und theoretische Schulungen