Steinbeis-Transferzentrum Halbleiterbauelemente

Forschungsschwerpunkt / Know-how

Charakterisierung elektronischer Bauelemente

Charakterisierung des Gleichspannungsverhaltens

I-U- und C-U-Messungen im Hochtemperaturbereich bis 600 °C

Charakterisierung des Kleinsignal-Hochfrequenzverhaltens auf dem Wafer von 0,045-50 GHz, mit Variation der Substrattemperatur

Charakterisierung des Hochfrequenz-Rauschverhaltens auf dem Wafer von 1-26 GHz, mit Variation der Substrattemperatur

Charakterisierung des Niederfrequenzrauschens auf dem Wafer von 1Hz-1MHz (geschirmter Messraum)

Charakterisierung von nichtlinearen Bauelementen auf dem Wafer im Zeitbereich, bis 50 GHs Bandbreite

 

Entwurfsunterstützung

Bauelementphysikalisch orientierte Interpretation der Daten, Groß- und Kleinsignal-Parameterextraktion, Bauelementsimulation

Komponentenauswahl für Systeme der Mobilkommunikation, Mikrowellensensorik und Optoelektronik

Entwurf integrierter Mikrowellenschaltungen (MMICs) auf Silizium und III-V-Halbleitern

Konzeption von Messplätzen der Mikrowellentechnik und Optoelektronik, auf spezifische Aufgaben zugeschnitten

 

Halbleiter-MaterialmesstechnikPhotolumineszenz

Magnetfeldabhängige Hallmessungen

 

MikrostrukturprozesstechnikMikro- und Nanolithographie durch Elektronenstrahl- und Deep-UV-Belichtung in Mehrlagen-Resistsystemen, Herstellung elektronenstrahlgeschriebener Masken

Dünnschichtdeposition durch Elektronenstrahlverdampfung, Sputtern, Ionenstrahlzerstäubung und Galvanik

Strukurierung durch Abhebetechnik, Nass- und Trockenätztechnik

Herstellung optischer Masken mit 0,5 *m Auflösung

 

Angebote

Anwendungsberatung und Entwurfsunterstützung zu neuartigen Halbleiterbauelementen in Kommunikations- und Sensortechnik

Charakterisierung elektronischer Bauelemente bis 50 GHz und anwendungsspezifische Messplatzkonzeption

Mikrostrukturprozesstechnik - Forschung, Entwicklung, Anwendung

Halbleiter-Materialmesstechnik

Praktische und theoretische Schulungen

Projektbeispiele

  • Konzeption eines breitbandigen Empfängers für LIDAR-Systeme
  • Verstärker mit 20 GHz Bandbreite aus Si/SiGe Bipolartransistoren
  • Fehlerkorrigierte Zeitbereichsmesstechnik auf dem Wafer
  • Feinstrukturierung bis zu Geometrien unter 0,1 *m
  • GaAs-Feldeffekttransistoren für Leistungsanwendungen
  • Strukturierung von Halbleiterbauelementen aus (Ga, A1) As, (In, Ga), (As, P) und (In, A1) As
  • Diamant als Halbleitermaterial bei hohen Temperaturen
  • Laborpraktikum "III-V Halbleitertechnologie"
  • Laborpraktikum "Elektronische Messtechnik"
  • Schulungsmaßnahmen zu Halbleitertechnologie, -komponenten und Mikrowellenschaltungstechnik
  • Internationale Workshops und Seminare

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Ansprechpartner

Prof. Dr.-Ing.
Erhard Kohn

Anschrift

Steinbeis-Transferzentrum Halbleiterbauelemente

Ratgebstr. 21
89081 Ulm
Deutschland

Tel.: 0731/502-6151
Fax: 0731/502-6155
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Ansprechpartner
IHK Ulm

Dominik Ammann

Olgastr. 95 - 101
89073 Ulm

Tel.: 0731 / 173-310
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